В совместной работе AIXTRON и SemiLEDs впервые были получены синие мощные светодиодные чипы на основе структур GaN, выращенных на на 6-ти дюймовых сапфировых подложках. Результаты оказались обнадеживающими, при этом практически все оказалось готовым для применения больших пластин в серийном процессе. На одной щести дюймовой пластине получается 18 тыс. 1-миллиметровых светодиодов. При этом выход годных существенно выше по сравнению с эквивалентными по площади девятью 2-х дюймовыми пластинами – за счет краевого эффекта. Можно надеяться, что переход на большие подложки ускорит снижение стоимости кристаллов, являющихся основой мощных белых светодиодов
|
Ссылки
|